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Intel發(fā)布的第一季度成果呈現(xiàn)，其非易失性存儲芯片處理計劃集團(tuán)的收益為13.4億美圓，同比增長率46.2%，與第四大NANDFlash存儲芯片企業(yè)美光的差距日漸靠近，其開發(fā)設(shè)計的3Dxpoint存儲芯片技術(shù)或?qū)⒏淖?/span>NANDFlash市場由三星一家獨(dú)大的局面。

2019年第四季度的數(shù)據(jù)統(tǒng)計呈現(xiàn)，Intel在NANDFlash市場以9.8%的市場比例位居第五名。Intel是在2011年決議進(jìn)入存儲芯片市場的，僅僅數(shù)年時間就成為該市場的一強(qiáng)，由此可見它的開展相當(dāng)神速。

2019年第四季度的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)，三星在NANDFlash存儲芯片市場占有的市場比例高達(dá)35.1%，第二名的KIOXIA（東芝）占有的市場比例為18.0%，可以說三星在該市場可謂獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷。

伴隨著全球智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心的迅速開展，對NANDFlash存儲芯片的需求繼續(xù)迅速上升，這促進(jìn)了三星的存儲芯片業(yè)務(wù)營業(yè)收入迅速高漲，在2017年、2018年超越Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè)。

Intel眼見著三星日漸威脅它在半導(dǎo)體芯片行業(yè)的霸主位置，因此選擇進(jìn)入存儲芯片市場，當(dāng)然這也與它思索將存儲芯片與效勞器芯片資源整合進(jìn)一步提高其效勞器芯片業(yè)務(wù)的競爭能力有關(guān)，期望借此壓接制作三星在該行業(yè)的開展。

在頭幾年Intel開展存儲芯片業(yè)務(wù)并不順利，到頭來它缺少這方面的技術(shù)，直至它選擇與美光通力合作，成功研宣布3DXpoint技術(shù)，3DXpoint技術(shù)可以大幅度提高存儲芯片的功能，Intel自稱3DXpoint技術(shù)較現(xiàn)有的NANDFlash芯片的功能提高了1000多倍。更有意義的是Intel和美光通力合作研宣布3DXpoint技術(shù)之后各奔前程，各自開展這項技術(shù)，這一度讓業(yè)界擔(dān)憂這項技術(shù)的開展遭到影響。

可是通過數(shù)年的開展，3DXpoint技術(shù)日漸取得肯定，Intel在NANDFlash存儲芯片市場的比例也日漸水漲船高。今年第一季度其存儲芯片的營業(yè)收入同比增長率46.2%，環(huán)比提高9.8%，假設(shè)今年第一季度美光的營業(yè)收入不提高的話，那么Intel與美光的營業(yè)收入差距再次縮減，Intel超越美光成為全球第四大NANDFlash存儲芯片企業(yè)的概率猛增。

3DXpoint技術(shù)被以為是對現(xiàn)有NANDFlash存儲芯片技術(shù)的更新改造，再加上Intel自家搶占優(yōu)勢的效勞器芯片業(yè)務(wù)的支持，Intel堅持如此迅速的提高趨勢，或許會改動現(xiàn)有的NAND Flash存儲市場的格式，終究三星、KIOXIA（東芝）等尚未研宣布可以抗衡3D Xpoint的技術(shù)。

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