中芯國際和華為海思首次合作,美國芯片市場擔(dān)憂。
發(fā)布時間:2020-02-14 16:04:22 瀏覽:3329
今天,中國的芯片產(chǎn)業(yè)還有很長的路要走,但在這方面有先行者和先行者。近日,中國芯片制造商中國芯片國際公司宣布,中國首條14nm芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn),為“中國芯片”增光添彩。此外,中芯國際擊敗了最大競爭對手臺積電,獲得了華為海思14nmOEM的大訂單,這意味著未來“中國芯”將實現(xiàn)從設(shè)計到OEM的本地化,不再受到限制。
新年伊始,中芯國際宣布,去年第三季度,其第一代14nm芯片已成功量產(chǎn)。在達(dá)到計劃生產(chǎn)能力后,中芯國際已建成兩條先進(jìn)的集成電路生產(chǎn)線,月生產(chǎn)能力3.5萬片。同時,它也代表了我國第一條14nm芯片生產(chǎn)線,對我國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
因為在芯片制造領(lǐng)域,主流的制造工藝節(jié)點從22nm、16nm、14nm到最先進(jìn)的7Nm不等。然而,全球仍處于14nm的時代,承擔(dān)著全球市場高端芯片生產(chǎn)的大部分。即使是7Nm的臺積電和三星的主要收入也來自14nm。可以說,作為后來者,中芯14nm的量產(chǎn)已經(jīng)成為世界主流,與國際老OEM站在了同一個臺階上。此外,截至2019年底,SMIC專利申請和授權(quán)總數(shù)超過16000個,為芯片制造業(yè)的后續(xù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。去年第三季度,公司實現(xiàn)凈利潤8462.6萬元,較去年同期的759.1萬元增長1014%。可以說,中芯國際是中國第一家芯片代工巨頭。
因此,中芯國際與華為海思的合作是自然的。中芯國際成功擊敗臺積電,獲得華為海思14nm芯片的OEM。值得一提的是,今年年初,海思開始向中國以外的企業(yè)供應(yīng)芯片,這也意味著中芯國際必將擴(kuò)大在中國芯片OEM市場的份額。
美國擔(dān)心海外籌碼會被切斷,其行動不會有效!
中國芯片產(chǎn)業(yè)要想崛起,必然要實現(xiàn)從設(shè)計到OEM、封測的真正本土化。因此,尋求與中國芯片OEM巨頭合作是中國芯片設(shè)計巨頭的必然趨勢。這一趨勢正在加強。今后,無論是國內(nèi)芯片設(shè)計巨頭還是芯片設(shè)計中小企業(yè),都有很大的可能將OEM訂單轉(zhuǎn)移回中國。
然而,在中國芯片產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的同時,美國卻擔(dān)心自己的芯片產(chǎn)業(yè)擔(dān)心被切斷。據(jù)了解,美國高科技企業(yè)的傳統(tǒng)模式是保留核心芯片設(shè)計技術(shù),并將芯片制造的OEM環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移給海外供應(yīng)商,同時也將自己的芯片生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到海外市場。
然而,從長遠(yuǎn)來看,這只會使美國芯片企業(yè)更加依賴海外資源;因此,為了避免導(dǎo)致美國芯片短缺的不可控因素,美國最近呼吁該國高科技產(chǎn)業(yè)CEO鼓勵他們重建在美國的芯片生產(chǎn)線。考慮到建造芯片工廠的成本將高達(dá)150億美元,這一呼吁最終收效甚微。因此,美國又開始了另一項“核心攻擊”計劃。
據(jù)美國媒體報道,中芯國際欲從荷蘭ASML購買價值1.5億美元的EUV(紫外線光刻機(jī)),但ASML未能獲得對華出口許可證,未能發(fā)貨。據(jù)報道,不斷有說服力的是美國。然而,令人振奮的是,中國成功地研制出了一臺采用9nm工藝的國產(chǎn)光刻機(jī)。總之,越來越多的跡象表明,中國芯片產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入一個新時代。
EUVIS公司位于美國加州,設(shè)計與生產(chǎn)全球頂尖的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換DAC、直接數(shù)字頻率合成器DDS、復(fù)用DAC的芯片級產(chǎn)品,以及高速采集板卡、動態(tài)波形發(fā)生器產(chǎn)品。其高速DAC芯片采樣率達(dá)到10Gsps,超高性價比,完全滿足測試、航空航天、雷達(dá)、軍事等應(yīng)用要求。
深圳市立維創(chuàng)展科技是EUVIS芯片的代理經(jīng)銷商,主要提供EUVIS的DAC、DDS、DAC等芯片,產(chǎn)品原則現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢,歡迎咨詢
推薦資訊
DS875可替代 ADI 的 AD9914(1GSPS 采樣率、超快跳頻等,用于雷達(dá)等)、AD9958(雙通道、獨立控制,用于 MIMO 系統(tǒng)等)、AD9102(集成波形存儲器,用于醫(yī)療成像等),以及 TI 的 DAC38J84(集成數(shù)字上變頻,用于 5G 射頻單元等)、LMK04828(集成低噪聲 PLL,用于測試儀器等)。
EV12AS200A 的“采樣延遲微調(diào)”功能通過在 ADC 采樣時鐘路徑插入步進(jìn) 24 fs 的可編程延遲線,將不同通道或芯片采樣沿對齊,降低時鐘分布歪斜、孔徑抖動、熱漂移等帶來的相位誤差。24 fs 步進(jìn)對應(yīng) 3 GHz 下約 0.5°相位誤差,能顯著提升相控陣等系統(tǒng)的相位精度。