產(chǎn)品詳情介紹
AM025WN-00-R是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總寬度為2.5毫米（兩個(gè)1.25毫米FET并聯(lián)）。它是一個(gè)裸模，可操作高達(dá)15千兆赫。它可以提供40.5 dBm的典型飽和功率。此部分符合RoHS。
特征
高達(dá)15GHz的高頻操作
在2GHz時(shí)增益=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
應(yīng)用
蜂窩無線基站
無線局域網(wǎng)、中繼器
C波段VSAT
雷達(dá)
測(cè)試儀器
軍事