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如何選擇開關電源模塊的金屬氧化物半導體場效應晶體管?

發布時間:2020-05-25 14:23:08     瀏覽:1843

金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)是一種能夠 改善開關電源模塊的某些參數性能,例如提升開關電源模塊的工作電流、工作電壓、減少導通電阻、提升電源開關性能等優勢,為不同的結構和工藝提供不一樣的技術服務。

開關電源模塊中DC/DC電源開關選取MOSFET是個非常復雜的過程,不僅需要考慮MOSFET的額定電流和電壓,還必須要在低柵極電荷和低導通電阻之間保持穩定。

開關電源模塊DC/DC因高效率而廣泛運用在許多電子產品中,如DC/DC電源模塊中同時具有高側FET和低側FET,而FET會按照控制器設置的占空比進行電源開關操作,致力于達到理想的輸出電壓。

開關電源模塊的FET與控制器需組合使用,為了提升高電流和高效率,FET需要使用控制器外部元器件,實現最大散熱功能。因FET物理隔離需要控制器,并具能最大的限度的選取靈活特性。因此FET選取過程更加復雜,需要考慮的要素也就更多。

開關電源模塊電源開關在接通過程中會出現DC/DC損耗,因為FET是接通電阻,但是接通電阻會隨FET的溫度而變化而變化,所以,想要精確計算接通電阻,就必須要使用迭代方法,并充分考慮FET的溫升情況。開關電源模塊減少DC/DC損耗最簡單的一種方法便是選用一個低接通電阻的FET。而且DC/DC損耗大小同FET的百分比接通時間成正比例關系,為此,能夠 通過減小接通時間/FET占空比來減少DC/DC損耗。

選取低柵極電荷和低接通電阻的FET是一種簡便的解決方法,必需在這兩種參數之間做一些折中和平衡。低柵極電荷就代表著更小的柵極面積/更小的并聯晶體管,及其就此帶來高導通電阻。與此同時,采用更大/更多并聯晶體管一般會導致低接通電阻,所以產生更多的柵極電荷。

如何選擇開關電源模塊的金屬氧化物半導體場效應晶體管?

電源模塊想要低占空比必需輸入高電壓,高側FET大部分時間均為關閉狀態,所以DC/DC損耗較低。但是,高FET電壓帶來高AC/DC損耗,能夠選取低柵極電荷的FET,即便接通電阻較高。低側FET大部分時間均為接通模式,但是AC/DC損耗卻最小。這是因為接通/關閉期間低側FET工作電壓因FET體二極管而非常低。所以,必需選取一個低接通電阻的FET,而且柵極電荷能夠很高。

電源模塊持續減少輸入電壓并提升占空比,能夠得到最AC/DC損耗和最DC/DC損耗,采用一個低通電阻的FET,并其中選取高柵極電荷。控制器占空比由低升高時DC/DC損耗線性降低,高控制器占空比時損耗最小。整體電路板的AC/DC損耗都很,所以任何情況下都應選取采用低通電阻的FET

高占空比組成FET損耗最,而且工作效率最大。工作效率從94.5%升至96.5%但是,低輸入電壓必需降低電源電壓軌的電壓,使其占空比提升,根據固定輸入電源供電,會抵消在POL獲得的部分或全部增益。另一種方式是直接從電源輸入到POL穩壓器,目的是降低穩壓器數,占空比較低。

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