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AM025WN-00-R是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總寬度為2.5毫米（兩個1.25毫米FET并聯）。它是一個裸模，可操作高達15千兆赫。它可以提供40.5 dBm的典型飽和功率。此部分符合RoHS。

特征

高達15GHz的高頻操作

在2GHz時增益=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

應用

蜂窩無線基站

無線局域網、中繼器

C波段VSAT

雷達

測試儀器

軍事